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   65纳米CMOS工艺&高压器件设计与制程技术
  培养对象
        本科及本科以上电子类相关专业或在业内具备相关工作经验者,具备电子电路基础,有志于学习版图设计课程者
   入学要求

        学员学习本课程应具备下列基础知识:
        ◆电路系统的基本概念。

   班级规模及环境--热线:4008699035 手机:15921673576( 微信同号)
       每期人数限3到5人。
   上课时间和地点
上课地点:【上海】:同济大学(沪西)/新城金郡商务楼(11号线白银路站) 【深圳分部】:电影大厦(地铁一号线大剧院站)/深圳大学成教院 【北京分部】:北京中山学院/福鑫大楼 【南京分部】:金港大厦(和燕路) 【武汉分部】:佳源大厦(高新二路) 【成都分部】:领馆区1号(中和大道) 【沈阳分部】:沈阳理工大学/六宅臻品 【郑州分部】:郑州大学/锦华大厦 【石家庄分部】:河北科技大学/瑞景大厦 【广州分部】:广粮大厦 【西安分部】:协同大厦
最近开课时间(周末班/连续班/晚班)
高压器件设计开课时间:2020年3月16日
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   质量保障

        1、培训过程中,如有部分内容理解不透或消化不好,可免费在以后培训班中重听;
        2、培训结束后,授课老师留给学员联系方式,保障培训效果,免费提供课后技术支持。
        3、培训合格学员可享受免费推荐就业机会。

        65纳米CMOS工艺&高压器件设计与制程技术


随着中国半导体产业已进入了一个高速发展的阶段,各个相关产业也在不断完善,同时,半导体专业知识的及时更新也越来越受到业界人士的重视。根据目前工艺的最新发展情况,我们为大家介绍“65纳米CMOS工艺及其应用”;“高压器件设计与制程技术”,课程注重基础与实践能力的提高,相信会使参加者受益匪浅。

课程简介:

第一部分:65纳米CMOS工艺及其应用

65纳米CMOS工艺经过多年研发已经逐渐进入量产阶段,本课程将逐一介绍实际可行的工艺。内容包括前端闸极设计、信道结构、源汲极浅结构,以及后端铜导线工艺整合等项目,并且以一些在特定电路应用内的范例为学员解惑。


第二部分: 高压器件设计与制程技术

功率集成电路及组件在相关电机电子产品领域中应用日渐增多,但功率组件的设计制造及工作条件则有别于一般的传统IC组件,故本课程的宗旨即在阐述功率组件的基本物理结构及相关的高压技术,涵盖的组件包含Power Rectifiers,Bipolar Transistors,Thyristors,Power MOSFET,以及 IGBT。

主要内容:
1. Semiconductor Breakdown Physics
2. Power Rectifiers
3. Bipolar Junction Transistors
4. Thyristors
5. Power MOSFET
6. IGBT
7. Super-junction Devices